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Halbleitertechnik

Internationales Spitzentreffen der Hochleistungselektronik in Nürnberg

Vom 11. bis zum 16. Oktober 2009 findet in Nürnberg die dreizehnte International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2009) statt. Die Schau gilt als wichtigste internationale Tagung zu Halbleitermaterialien für die Hochleistungs- und Hochtemperaturelektronik.

Der Kongress ist wichtigster Treffpunkt von Wissenschaftlern und Industrievertretern aus aller Welt  rund um die neuesten Entwicklungen bei den  "wide-bandgap semiconductors" (Halbleitern mit großer Bandlücke). Größte Herausforderungen in Zukunft sind die Herstellung von Halbleiterkristallen in höchster Qualität, die Materialanalyse, die Realisierung neuartiger elektronischer Bauelemente sowie - nicht unbedeutend - die Kostensenkung bei der industriellen Produktion. Damit leisten die "wide-bandgap semiconductors" einen entscheidenden Beitrag zur Realisierung der Elektronik von morgen und auch für einen verantwortungsbewussten Umgang mit Energie.

Die Region Erlangen-Nürnberg ist einer der wichtigsten Standorte für Siliciumcarbid in Europa: Neben mehreren ansässigen Firmen, die sowohl die Grundmaterial- als auch die Bauelementeherstellung abdecken, gibt es umfangreiche Forschungs- und Entwicklungsaktivitäten am Fraunhofer IISB und an der Universität Erlangen-Nürnberg. So kommt es nicht von ungefähr, dass die rund 500 erwarteten Teilnehmer der ICSCRM nach Austragungsorten unter anderem in Japan und den USA in diesem Jahr im CongressCenter Nürnberg (CCN) zusammenkommen.

Organisiert wird die ICSCRM2009 vom Erlanger Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB zusammen mit den Firmen Infineon und SiCED sowie der Universität Erlangen-Nürnberg.

(Redaktion)


 


 

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